SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SI3421DV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580pF @ 15V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Base Part Number: SI3421.

Preis SI3421DV-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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6000 Stücke
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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auf Bestellung 8933 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580pF @ 15V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base Part Number: SI3421
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auf Bestellung 6810 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
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