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Technische Details SI3421DV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm.
Weitere Produktangebote SI3421DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 2.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI3421DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 1599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V |
auf Bestellung 13535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm |
auf Bestellung 28686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm |
auf Bestellung 28686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3421DV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.7W Case: SC74; TSOP6 Mounting: SMD Pulsed drain current: -50A Gate charge: 69nC Technology: TrenchFET® Drain current: -8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 19.2mΩ |
auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 0.49 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.29 EUR |
| 10+ | 0.87 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
auf Bestellung 13535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.68 EUR |
| 21+ | 1.04 EUR |
| 50+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
auf Bestellung 28686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 2.07 EUR |
| 183+ | 1.27 EUR |
| 276+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.54 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
auf Bestellung 28686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 2.07 EUR |
| 183+ | 1.27 EUR |
| 276+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.54 EUR |
| SI3421DV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.2mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.2mΩ
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)