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Technische Details SI3429EDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.
Weitere Produktangebote SI3429EDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.15 EUR
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
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| SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP |
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SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP |
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| SI3429EDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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