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SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3429edv.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI3429EDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+0.56 EUR
435+0.39 EUR
439+0.37 EUR
443+0.36 EUR
695+0.21 EUR
736+0.2 EUR
741+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
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300+0.58 EUR
544+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3429edv.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 4863 Stücke:
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4+0.88 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY VISHS89072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
287+0.81 EUR
596+0.36 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY VISHS89072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
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435+0.39 EUR
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MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
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Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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184+1.36 EUR
287+0.81 EUR
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