SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3440DV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Base Part Number: SI3440, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.

Preis SI3440DV-T1-GE3 ab 0.86 EUR bis 4.13 EUR

SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Trans. SI3440DV-T1-GE3 TSOP6 TSI3440dv
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SI3440DV-T1-GE3
SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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SI3440DV-T1-GE3
SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package: 6-TSOP
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI3440DV-T1-GE3
SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Base Part Number: SI3440
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SI3440DV-T1-GE3
SI3440DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Base Part Number: SI3440
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package: 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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