SI3440DV-T1-GE3
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Technische Details SI3440DV-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Base Part Number: SI3440, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.
Preis SI3440DV-T1-GE3 ab 0.86 EUR bis 4.13 EUR
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SI3440DV-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Trans. SI3440DV-T1-GE3 TSOP6 TSI3440dv Anzahl je Verpackung: 10 Stücke 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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15000 Stücke |
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SI3440DV-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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SI3440DV-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Base Part Number: SI3440 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Base Part Number: SI3440 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
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