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Technische Details SI3440DV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI3440DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.49 EUR
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 193635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 193635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 14946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
auf Bestellung 24103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI3440DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |