SI3443BDV-T1-E3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 27946 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 27946 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Technische Details SI3443BDV-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Base Part Number: SI3443, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.
Preis SI3443BDV-T1-E3 ab 0.88 EUR bis 1.66 EUR
|
SI3443BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
|
3000 Stücke |
|
|
|
SI3443BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI3443BDV-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI3443BDV-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Base Part Number: SI3443 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
|
auf Bestellung 6000 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
|
auf Bestellung 4806 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Base Part Number: SI3443 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active
|
auf Bestellung 7286 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|