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SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details SI3443BDV-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.

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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors 72749.pdf MOSFETs 20V 4.4A 2W
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Hersteller : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
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