SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

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Technische Details SI3457BDV-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Type: P-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis SI3457BDV-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
SOT-163
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1900 Stücke
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
0624
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2855 Stücke
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
09+
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16672 Stücke
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
06+
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13654 Stücke
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
05+ TSOP-6
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2779 Stücke
SI3457BDV-T1-E3
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SI3457BDV-T1-E3
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package: 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Type: P-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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SI3457BDV-T1-E3
SI3457BDV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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