SI3457BDV-T1-E3
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Technische Details SI3457BDV-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Type: P-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis SI3457BDV-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI3457BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY SOT-163
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1900 Stücke |
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SI3457BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY 0624
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2855 Stücke |
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SI3457BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY 09+
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16672 Stücke |
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SI3457BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY 06+
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13654 Stücke |
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SI3457BDV-T1-E3 Hersteller: VISHAY 05+ TSOP-6
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2779 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Type: P-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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