SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote SI3457CDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 2.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 74mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
auf Bestellung 36438 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 19594 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 6730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 6730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6 |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |