Produkte > VISHAY > SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

si3460ddv.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.18 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Weitere Produktangebote SI3460DDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.18 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
290+0.25 EUR
320+ 0.22 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 290
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
290+0.25 EUR
320+ 0.22 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 290
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
334+0.47 EUR
451+ 0.34 EUR
455+ 0.32 EUR
577+ 0.24 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 334
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
268+0.59 EUR
323+ 0.47 EUR
334+ 0.44 EUR
451+ 0.31 EUR
455+ 0.3 EUR
577+ 0.22 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 268
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.96 EUR
32+ 0.82 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 3235 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
54+0.97 EUR
65+ 0.81 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 54
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 4736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 4736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460dd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar