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SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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553+0.31 EUR
590+0.29 EUR
633+0.26 EUR
683+0.24 EUR
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373+0.46 EUR
519+0.32 EUR
553+0.29 EUR
590+0.26 EUR
633+0.24 EUR
683+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5100 Stücke:
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100+0.86 EUR
150+0.57 EUR
200+0.43 EUR
250+0.35 EUR
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
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3+1.29 EUR
100+0.93 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 24095 Stücke:
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17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
285+0.82 EUR
324+0.67 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
285+0.82 EUR
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500+0.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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auf Bestellung 105000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
553+0.31 EUR
590+0.29 EUR
633+0.26 EUR
683+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
373+0.46 EUR
519+0.32 EUR
553+0.29 EUR
590+0.26 EUR
633+0.24 EUR
683+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
330+0.52 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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100+0.86 EUR
150+0.57 EUR
200+0.43 EUR
250+0.35 EUR
309+0.27 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 7988 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
100+0.93 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 24095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SI3460DDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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