SI3552DV-T1-E3
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Technische Details SI3552DV-T1-E3
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Base Part Number: SI3552, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.15W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI3552DV-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI3552DV-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R 
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SI3552DV-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: N and P-Channel Power - Max: 1.15W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Base Part Number: SI3552 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.15W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: N and P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 8968 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: N and P-Channel Power - Max: 1.15W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
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