SI3552DV-T1-E3

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3552DV-GE3
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Technische Details SI3552DV-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Base Part Number: SI3552, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.15W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI3552DV-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI3552DV-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 1.15W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
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SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Base Part Number: SI3552
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.15W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 1.15W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
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