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Technische Details SI3552DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI3552DV-T1-E3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.62 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-1.8A On-state resistance: 360/175mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.6/3.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -7...8A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-1.8A On-state resistance: 360/175mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.6/3.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -7...8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI3552DV-GE3 |
auf Bestellung 192072 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
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| SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
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