SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.47 EUR |
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Technische Details SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI3552DV-T1-E3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI35 |
auf Bestellung 175483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
auf Bestellung 6588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors |
auf Bestellung 2973 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI3552DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |