SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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Technische Details SI3590DV-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP, Base Part Number: SI3590, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 830mW, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI3590DV-T1-GE3 ab 1.25 EUR bis 2.35 EUR

Si3590DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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Si3590DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 830mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
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SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 830mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Base Part Number: SI3590
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 830mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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