Si3590DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.72 EUR |
| 10+ | 1.16 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details Si3590DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote Si3590DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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Si3590DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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SI3590DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SI3590DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3590DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si3590DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3590DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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Si3590DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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