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Technische Details SI4100DY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote SI4100DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.22 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 7802 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm |
auf Bestellung 3324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SI4100DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |