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SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4100DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
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148+1.11 EUR
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SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4100dy.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
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2+2.59 EUR
10+2.24 EUR
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SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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8+2.68 EUR
12+1.88 EUR
100+1.31 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.12 EUR
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SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
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72+3.5 EUR
105+2.21 EUR
150+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
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SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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100+3.5 EUR
105+2.21 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4100DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
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148+1.18 EUR
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250+0.81 EUR
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SI4100DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI4100DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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125+1.42 EUR
147+1.15 EUR
148+1.11 EUR
180+0.87 EUR
250+0.74 EUR
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MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
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2+2.59 EUR
10+2.24 EUR
100+1.76 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
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SI4100DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3625 Stücke:
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12+1.88 EUR
100+1.31 EUR
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1000+1.12 EUR
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SI4100DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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72+3.5 EUR
105+2.21 EUR
150+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
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SI4100DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4100DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.5 EUR
105+2.21 EUR
150+1.44 EUR
500+1.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH