SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4114DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V, Vgs (Max): ±16V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Base Part Number: SI4114.

Preis SI4114DY-T1-GE3 ab 0.64 EUR bis 3.93 EUR

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Si4114DY MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
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Si4114DY MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
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Si4114DY MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
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Si4114DY MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Vgs (Max): ±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (Max): ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Part Number: SI4114
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SI4114DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (Max): ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Part Number: SI4114
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