SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.54 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 7500+ | 0.48 EUR |
| 12500+ | 0.45 EUR |
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Technische Details SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Weitere Produktangebote SI4143DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 3.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI4143DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 12630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4143DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 103508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 10527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 10527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од. Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 426 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 1.57 EUR |
| 144+ | 1.18 EUR |
| 166+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 2500+ | 0.6 EUR |
| 7500+ | 0.52 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.95 EUR |
| 16+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.46 EUR |
| 110+ | 1.52 EUR |
| 144+ | 1.11 EUR |
| 166+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 2500+ | 0.52 EUR |
| 7500+ | 0.45 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 103508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.7 EUR |
| 10+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 2500+ | 0.71 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 10527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.88 EUR |
| 103+ | 2.27 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 10527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.88 EUR |
| 103+ | 2.27 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| SI4143DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 426 Stücke: