SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4204DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Base Part Number: SI4204, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 3.25W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Standard, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4204DY-T1-GE3 ab 1.07 EUR bis 5.12 EUR

SI4204DY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4204DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 3.25W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4204DY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 3.25W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Base Part Number: SI4204
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.25W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Standard
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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