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SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4204dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
5000+1.44 EUR
7500+1.4 EUR
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Technische Details SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
89+2.62 EUR
111+1.95 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4204dy.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
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1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.59 EUR
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SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4204dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7985 Stücke:
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5+5.15 EUR
10+3.32 EUR
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500+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4204DY-T1-GE3 Vishay si4204dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
70+2.44 EUR
72+2.3 EUR
100+1.76 EUR
250+1.68 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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SI4204DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4204DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
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1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
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1000+1.68 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7985 Stücke:
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5+5.15 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
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