SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDYT1E3

Hersteller: VISHAY

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Technische Details SI4401BDYT1E3

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI4401, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V.

Preis SI4401BDYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
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Material: SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 10.5A 0.014Ohm
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI4401
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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