SI4401BDY-T1-E3
Technische Details SI4401BDYT1E3
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI4401, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V.
Preis SI4401BDYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R 
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SI4401BDYT1E3 Hersteller: |
9000 Stücke |
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SI4401BDY-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
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SI4401BDY-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
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SI4401BDY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4401BDY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V 10.5A 0.014Ohm
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auf Bestellung 14838 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SI4401 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 6188 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT)
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