Produkte > VISHAY > SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3 Vishay


si4401bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.13 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4401BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Weitere Produktangebote SI4401BDY-T1-E3 nach Preis ab 1.11 EUR bis 5.10 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.16 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.06 EUR
86+1.60 EUR
100+1.48 EUR
250+1.37 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
auf Bestellung 12507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+2.38 EUR
100+1.92 EUR
250+1.90 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 10685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.10 EUR
10+3.31 EUR
100+2.30 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDYT1E3 Hersteller : VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH