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Technische Details SI4401DDY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote SI4401DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8 On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8 On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 220000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4171 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 26843 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 55671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 |
auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |