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Technische Details SI4401DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4401DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.17 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
auf Bestellung 34005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 17740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 49819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4401DDY-T1-GE3 |
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auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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