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SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

si4401dd.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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5000+0.56 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4401dd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.55 EUR
12500+0.52 EUR
17500+0.51 EUR
25000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
89+0.96 EUR
131+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.59 EUR
161+1.07 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4401dd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
auf Bestellung 51633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4401dd.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4401DDY-T1-GE3 Siliconix si4401dd.pdf P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPrivatkunde
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SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2006 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
55+1.55 EUR
89+0.96 EUR
131+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
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Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
auf Bestellung 51633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6803 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.4 EUR
10+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
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P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
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