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Technische Details SI4401FDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4401FDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A On-state resistance: 18.3mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A On-state resistance: 18.3mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 44451 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 61684 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 73557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 73557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4401FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
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