Produkte > VISHAY > SI4401FDY-T1-GE3
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3 Vishay

doc75996.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4401FDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4401FDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc75996.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4401fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4401fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4401fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si4401fdy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 29304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.59 EUR
10+1.25 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.60 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4401fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 43453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.13 EUR
14+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4401fdy.pdf Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 60603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4401fdy.pdf Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 65169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc75996.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc75996.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH