SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4403DDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SOIC, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 10V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4403DDY-T1-GE3 ab 0.19 EUR bis 0.74 EUR

SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI4403DDY MOSFET -20V Vds TrenchFET -/+8V Vgs
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4403DDY-T1-GE3
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 10V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI4403DDY-T1-GE3
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
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SI4403DDY-T1-GE3
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
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