SI4403DDY-T1-GE3
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Technische Details SI4403DDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SOIC, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 10V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI4403DDY-T1-GE3 ab 0.19 EUR bis 0.74 EUR
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SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors 
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SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller: SI4403DDY MOSFET -20V Vds TrenchFET -/+8V Vgs
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET -20V Vds 8V Vgs SO-8
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SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 10V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 3187 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc) FET Type: P-Channel
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
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