
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
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Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.27 EUR |
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Technische Details SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4403DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.3A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.3A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V |
auf Bestellung 5171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4403DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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