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SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4403DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7566598-3
Price: 675 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V

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Technische Details SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4403DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.23 EUR

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SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8

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SI4403DDY-T1-GE3

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SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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71+	1.02 EUR
124+	0.58 EUR
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161+	0.44 EUR
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SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V

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15+	1.23 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

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Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0010924718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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