Produkte > VISHAY SILICONIX > SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4403DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7566598-3
Price: 675 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4403DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.23 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 4947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
316+	0.46 EUR
414+	0.34 EUR
507+	0.26 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 316

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
250+	0.58 EUR
355+	0.39 EUR
360+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8

auf Bestellung 24100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	0.75 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.24 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
187+	0.78 EUR
250+	0.56 EUR
355+	0.38 EUR
360+	0.36 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 187

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
71+	1.02 EUR
124+	0.58 EUR
140+	0.51 EUR
161+	0.44 EUR
171+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 71

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
71+	1.02 EUR
124+	0.58 EUR
140+	0.51 EUR
161+	0.44 EUR
171+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 71

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V

auf Bestellung 5171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
15+	1.23 EUR
24+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0010924718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3961 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

auf Bestellung 3961 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4403DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH