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SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4403ddy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
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Technische Details SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
124+ 0.58 EUR
140+ 0.51 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si4403ddy-1765335.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs SO-8
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SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
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