SI4410BDY-T1-E3
SI4410BDY-T1-E3
Hersteller: SILIN-MOSFET 7,5A 30V 1,4W Trans. SI4410BDY-T1-E3 S08 TSI4410bdy
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Technische Details SI4410BDY-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis SI4410BDY-T1-E3 ab 2.91 EUR bis 2.91 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4410BDYT1E3 Hersteller: |
32500 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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