Produkte > SI4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| SI40021 | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4004DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4004DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4008BDY | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI400CF-021 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI400CF-022 | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GSR | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GT | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4010-B1-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2 | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4010-C2-AS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ASR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 580000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | SI4010-C2-GS SI4010 Anzahl je Verpackung: 56 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | auf Bestellung 4746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs Anzahl je Verpackung: 4 Stücke | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | auf Bestellung 2888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs Anzahl je Verpackung: 4 Stücke | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | SI4010-C2-GSR SI4010 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | auf Bestellung 2898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Strip Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8A Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8A Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 7464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C2001AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2001ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002GS | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Strip DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2003AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2003AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 59-63 Tag (e) |
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| SI4010-C2003AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2003ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2003ATR | Silicon Laboratories | High Performance RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2004ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C200FGT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C200FGT | Silicon Labs | Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C200FGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C200RGT | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C200YGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2012GT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2020GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2020GTR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2020GTR | Silicon Labs | Silicon Laboratories | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2024GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2024GTR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2025GT | Silicon Laboratories | SI4010-C2025GT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M0RGS | Silicon Laboratories | ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M0RGSR | Silicon Laboratories | ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M0SGS | Silicon Laboratories | SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M0SGSR | Silicon Laboratories | SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4010-C2X-GS | Silicon Laboratories | SI4010-C2X-GS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30V | auf Bestellung 5649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C1001GT | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C1001GTR | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C1002GT | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C100GGTR | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C100JGTR | Silicon Labs | SI4011-C100JGTR SI4011 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C100MGTR | Silicon Labs | SI4011-C100MGTR SI4011 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C100NGTR | Silicon Labs | SI4011-C100NGTR SI4011 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-C2-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-CA-GT | Silicon Laboratories | SI4011-CA-GT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-CC-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4011-CC-GTR | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GT | Silicon Labs | SI4012-A0-GT SI4012 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GTR | Silicon Labs | RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-B1-GT | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Strip Features: Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4012-C1001GT | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10 Übertragungsstrom: 19.8 Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz, min.: 27 Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Empfindlichkeit (dBm): - HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10 Übertragungsrate: 100 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 960 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4012-C1001GT | Silicon Laboratories | RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4012-C1001GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8mA Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | auf Bestellung 10068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4012-C1001GTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: Crystal-less Operation Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 11951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4018 | ALUTRONIC | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...220°C Thickness: 0.18mm Type of heat transfer pad: silicone Dielectric strength: 4kV Dimensions: 200x200mm Mounting: heat transfer glue Material: glass fiber reinforced silicone Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4018 | ALUTRONIC | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...220°C Thickness: 0.18mm Type of heat transfer pad: silicone Dielectric strength: 4kV Dimensions: 200x200mm Mounting: heat transfer glue Material: glass fiber reinforced silicone | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4018-S | ALUTRONIC | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV Type of heat transfer pad: silicone Thickness: 0.18mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...220°C Dielectric strength: 4kV Dimensions: 200x200mm Material: glass fiber reinforced silicone | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4018-S | ALUTRONIC | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV Type of heat transfer pad: silicone Thickness: 0.18mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...220°C Dielectric strength: 4kV Dimensions: 200x200mm Material: glass fiber reinforced silicone Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4020 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4020-I1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 3dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 14mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FT | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020 Anzahl je Verpackung: 96 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 3dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 14mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4021-A1-FDI | Silicon Labs | RF Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | SI4021-A1-FT SI4021 Anzahl je Verpackung: 96 Stücke | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT1 | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT1R | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4021A1FTR | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4022-A0-FT | Silicon Labs | SI4022-A0-FT SI4022 Anzahl je Verpackung: 96 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A1-FT | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4022-A1-FT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4022-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4023-S | ALUTRONIC | SI4023-S Heatsinks - equipment | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Laboratories | TX SubG +13dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Laboratories | ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Laboratories | ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031 | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4031-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 Anzahl je Verpackung: 91 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032 Anzahl je Verpackung: 91 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 85mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 240MHz Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | auf Bestellung 3410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 80mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4033-B2-FM | Silicon Laboratories | SI4033-B2-FM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4033-B2-FMR | Silicon Laboratories | SI4033-B2-FMR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4033-B2-FMR | Silicon Labs | SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 42.5A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 42.5A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-E3 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-FM | Silicon Laboratories | Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-FM | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-ZMR | Silicon Labs | SI4055-B1A-ZMR SI4055 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins tariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 284MHz Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -116dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 500Kbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 284MHz ~ 960MHz Memory Size: 64KB Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 500kbps Supplier Device Package: 20-QFN (3x3) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz Transmitter | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4055-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | auf Bestellung 19637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET | auf Bestellung 134807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 47128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI40 | auf Bestellung 49962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 15097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | auf Bestellung 10806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 105927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4058DY-T1-GE3 Produktcode: 182910
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4060QFN Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FMR | Silicon Laboratories | SI4060-B0B-FMR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 7504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.8V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 12.5dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 12.5dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 6185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4060-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 Produktcode: 209529
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead | auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V | auf Bestellung 3061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 17632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 25.7A Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Drain-source voltage: 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 25.7A Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FMR | Silicon Laboratories | SI4063-B0B-FMR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM Produktcode: 170485
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| Modulare Elemente > IC Radiomodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 14883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 7242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 68.5mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI407DNPLCC | VISHAY | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V | auf Bestellung 2611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4090DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | auf Bestellung 2962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 11899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI40SL0116-70T | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI40SL0416-75T | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI41 | IDEC | Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI410 | SIEMENS | 01+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 16317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | auf Bestellung 28185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 7802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4100DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.7A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25.7A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 203nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 93478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.7A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25.7A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 203nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | auf Bestellung 5483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-E3 | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4102DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -16A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 5.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 9513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 116201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -16A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 5.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 9513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-E3 | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4104DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4108DY-T1-E3 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4108DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI410A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4110-KT | 09+ | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-E3 | Vishay | PN may be NE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-E3 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | auf Bestellung 124200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4110DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4110KT | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4112-BM | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4112-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-BT Produktcode: 47301
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4112-BT | SILICONIX | 0544 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4112-D-GM | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | auf Bestellung 6026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 4618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 6610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Labs | SI4112 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112BT | SILICON | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4112G-BM | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-BMR | auf Bestellung 7280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4113-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Silicon Labs | SLLSI4113-D-GT SI4113 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Skyworks Solutions | IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-D-ZT1 | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113G-BT | SI | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4113GM | SI | O6 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4113ZT1 | N/A | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | auf Bestellung 10990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 | auf Bestellung 4620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | auf Bestellung 280000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 | auf Bestellung 12468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | auf Bestellung 281001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4114DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4114G-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114G-BM | Silicon Labs | Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114G-BMR | SI | 03+ CLCC | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4114GM-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL SI4114G-BM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4115G-BM | Silicon Labs | Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4115G-BMR | SILICON | auf Bestellung 67790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3411 Stücke: Lieferzeit 703-707 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8 | auf Bestellung 8278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | auf Bestellung 9630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4116DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4120 | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4120-KT | 09+ | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4120KT | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122-BT | SI | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-BTR | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.5GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122BT | SILICON | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | auf Bestellung 4973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8 | auf Bestellung 9522 Stücke: Lieferzeit 308-312 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 13017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 3838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 13017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 10+ | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 Produktcode: 188744
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4122G-BMR | SI | 2000 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-BT | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4123-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | auf Bestellung 1133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123BM | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4123BM | QFN | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V | auf Bestellung 2507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 373-377 Tag (e) |
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| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4124DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126 | SILICON | O246+ QFN | auf Bestellung 1345 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126 | VISHAY | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126-BM | SILICON | auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-BMR | SILICON | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126-BMR | st | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126-BMR | SILICON | 03+ | auf Bestellung 4105 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-BM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-BMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126-GM | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4126BM | VISHAY | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126BM | N/A | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4126DY-T1 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-E3 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | auf Bestellung 7132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4126M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-E3 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 8157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.7A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 33193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.7A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4128DY-TI-GE3 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4132-BT | SILICON | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4132-KT | 09+ | auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4132-KT | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4132-SB | SILICON | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4132BT | SILICON | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4132KT | SILICON | auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4132SB | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133-BMR | SILICONI | 00+ CLCC | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-BT | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-BT | SILICON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133-BT/GT | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4133-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | auf Bestellung 1736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4133-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133 Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SI4133 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Silicon Labs | SLLSI4133-EVB SI4133 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | RF Development Tools | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Skyworks Solutions | Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133-GM | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133B-BM | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Si4133BM | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133F-BMR | VISHAY | 03+ | auf Bestellung 2937 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133G-BM | SILICON | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133G-BT | SILCON | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133G-BTR | SILI | auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133G-BTR | SILICON | 0050 | auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133G-XM2 | SILICON | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133G-XM2R | SILICON | 2003 | auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133G-XMZ | auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133GBM | SILICON | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133GBMR | SLAB | 0011 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133GBMR | SLAB | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133GBT | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133GM | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133GM-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133GX2-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133GX2M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133GX2M Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SI4133GX2M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133GXM2 | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133M-EB | Skyworks Solutions, Inc. | RF Development Tools | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EB | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC Packaging: Box For Use With/Related Products: SI4123 Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133 Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Skyworks Solutions | Si4133-BM PLL Evaluation Board | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Skyworks Solutions | Si4133-BM PLL Evaluation Board | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | Silicon | 09+ | auf Bestellung 350018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/Yes Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | SI | 04+ CLCC | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | SILICON | QFN?? | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-BMR | SI | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4133T-BMR | SILICON | 2004 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-GM | auf Bestellung 53500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133T-GM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/Yes Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133T-MB | VISHAY | 2004 | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133TBM | Silicon | 03+ | auf Bestellung 2066 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133W-BM | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4133W-BMR | SILICON | 2002 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133W-D-GM | Silicon Labs | 0602 | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4133WM-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133W-BM Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4134DY-T1 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | VISHAY | 1027+ SOP8 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 66782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.2A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD | auf Bestellung 6892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 13914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | auf Bestellung 3959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.2A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 6892 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4134T-BM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-BM | SILICON | QFN32 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-BM | Silicon | 09+ | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-BMR | SILICON | QFN | auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-BMR | SILICON | QFN?? | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-GM | Silicon | 09+ | auf Bestellung 9018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4134T-GMR | SILICON | 04+ | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-BM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-BM | Silicon | 09+ | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-Bt | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-Bt | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136-BT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4136 Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Skyworks Solutions | ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-BT | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136 Anzahl je Verpackung: 490 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.5GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 Anzahl je Verpackung: 62 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4136-F-GT | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136-GM | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136-XM-GT | auf Bestellung 3848 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136BM | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136BT | SILICON | 09+ TSSOP24 | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-E3 | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | auf Bestellung 2126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 21393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4136M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136XM-BT | SILICON | 09+ TSSOP24 | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4136XM-BT | SILICON | auf Bestellung 5998 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4136XM-BT | SILCON | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4136XM-BTR | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4136XM-GT | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4137-BM | 09+ | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4137BM | SILICON | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | auf Bestellung 61349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 | auf Bestellung 8611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4148DY-T1 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI415 | SIEMENS | 01+ SOP | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI415 | VISHAY | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET | auf Bestellung 15455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -19.3A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -19.3A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30-V MSFT | auf Bestellung 15638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 Produktcode: 184243
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 27274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | auf Bestellung 11334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V | auf Bestellung 2554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-E3 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 56734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 4627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-E3 | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-E3 | auf Bestellung 87520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-EG3 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25.4A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.4A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25.4A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.4A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 14229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4160DY-TI-GE3 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-E3 | auf Bestellung 87520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | auf Bestellung 25976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 74644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 74644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15.4A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15.4A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 9156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 Produktcode: 186845
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | auf Bestellung 31217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 30937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4164DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4166DY | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-E3 | auf Bestellung 87520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | auf Bestellung 7727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-E3 | auf Bestellung 87520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | auf Bestellung 26145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4168DY-T1-GE3 | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI417 | SIEMENS | 01+ SOP | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4170DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4172DT-T1-GE3 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4172DY | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-E3 | auf Bestellung 87520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | auf Bestellung 798200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |