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Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4004DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

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SI4008BDY

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI400CF-021

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI400CF-022

auf Bestellung 998 Stücke:

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SI4010-B1-GS

RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051

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SI4010-B1-GS

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4010-B1-GS

Crystal-SOC RF Transmitter

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SI4010-B1-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

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SI4010-B1-GSR

Crystal-SOC RF Transmitter

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SI4010-B1-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4010-B1-GT

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4010-C2

auf Bestellung 1700 Stücke:

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SI4010-C2-AS

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2-ASR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2-AT

RF Microcontrollers - MCU

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.49 EUR
10+	8.53 EUR
100+	7.77 EUR
250+	7.46 EUR
500+	6.84 EUR
1000+	5.77 EUR
2500+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

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SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

auf Bestellung 580000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2-ATR

RF Microcontrollers - MCU

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SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

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SI4010-C2-GS

auf Bestellung 7249 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.53 EUR
10+	12.97 EUR
56+	11.68 EUR
112+	10.64 EUR
280+	9.6 EUR
504+	8.61 EUR
1008+	7.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

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SI4010-C2-GS

SI4010-C2-GS SI4010
Anzahl je Verpackung: 56 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

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SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.58 EUR
26+	5.74 EUR
100+	5.13 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	24.08 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4010-C2-GS

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

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SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	24.08 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4010-C2-GS

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

auf Bestellung 2938 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.62 EUR
10+	10.58 EUR
100+	9.98 EUR
250+	9.15 EUR
500+	7.33 EUR
1176+	6.94 EUR
10584+	6.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4010-C2-GSR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R

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SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

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SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 4940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SI4010-C2-GSR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

auf Bestellung 2908 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

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SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 4940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.52 EUR
36+	4.07 EUR
100+	3.86 EUR
250+	3.64 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	3.23 EUR
3000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR SI4010
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4010-C2-GT

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.91 EUR
10+	10.11 EUR
100+	8.79 EUR
250+	8.32 EUR
500+	6.29 EUR
1050+	6.11 EUR
2100+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

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SI4010-C2-GT

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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SI4010-C2-GT

Crystal-SOC RF Transmitter

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SI4010-C2-GT

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.48 EUR
10+	11.15 EUR
50+	10.04 EUR
100+	9.15 EUR
250+	8.25 EUR
500+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

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SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 7377 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.48 EUR
10+	11.15 EUR
25+	10.04 EUR
100+	9.15 EUR
250+	8.25 EUR
500+	7.41 EUR
1000+	6.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 42

SI4010-C2-GTR

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4010-C2-GTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

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SI4010-C2-GTR

Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

auf Bestellung 2197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

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SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.75 EUR
44+	3.45 EUR
45+	3.29 EUR
100+	3.13 EUR
250+	3 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.74 EUR
3000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 42

SI4010-C2-GTR

auf Bestellung 2197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2-GTR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.66 EUR
10+	7.51 EUR
100+	7.12 EUR
250+	6.71 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.82 EUR
2500+	5.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4010-C2001AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2001ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2002AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2002ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2002GS

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.29 EUR
50+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI4010-C2003AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.63 EUR
10+	7.77 EUR
100+	6.58 EUR
250+	6.32 EUR
500+	5.77 EUR
1000+	5.04 EUR
2500+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.29 EUR
50+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI4010-C2003ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2003ATR

High Performance RF Transmitter

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SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4010-C2004AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

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SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4010-C200FGT

Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC

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SI4010-C200FGT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SI4010-C200FGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

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SI4010-C200RGT

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 2487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.06 EUR
77+	1.96 EUR
79+	1.86 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 2487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.06 EUR
77+	1.96 EUR
79+	1.86 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

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SI4010-C2012GT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

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SI4010-C2020GTR

Silicon Laboratories

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SI4010-C2020GTR

SI4010-C2020GTR

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SI4010-C2024GTR

SI4010-C2024GTR

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SI4010-C2025GT

SI4010-C2025GT

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SI4010-C2M0RGS

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

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SI4010-C2M0RGSR

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

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SI4010-C2M0SGS

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

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SI4010-C2M0SGSR

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

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SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

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SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.95 EUR
41+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.95 EUR
41+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SI4010-C2X-GS

SI4010-C2X-GS

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SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

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SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30V

auf Bestellung 5649 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

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SI4011-C1001GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

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SI4011-C1001GTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4011-C1002GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

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SI4011-C100GGTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

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SI4011-C100JGTR

SI4011-C100JGTR SI4011
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4011-C100MGTR

SI4011-C100MGTR SI4011
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4011-C100NGTR

SI4011-C100NGTR SI4011
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4011-C2-GT

Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP

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SI4011-CA-GT

SI4011-CA-GT

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SI4011-CC-GT

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

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SI4011-CC-GTR

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

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SI4012-A0-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP

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SI4012-A0-GT

SI4012-A0-GT SI4012
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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SI4012-A0-GTR

RF Transmitter

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SI4012-B1-GT

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4012-C1001GT

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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SI4012-C1001GT

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised

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SI4012-C1001GT

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

auf Bestellung 605 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.51 EUR
10+	6.21 EUR
100+	5.51 EUR
250+	5.12 EUR
500+	3.87 EUR
1050+	3.85 EUR
2100+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube

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SI4012-C1001GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.67 EUR
10+	6.85 EUR
50+	6.17 EUR
100+	5.62 EUR
250+	5.07 EUR
500+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2007 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.67 EUR
10+	6.85 EUR
25+	6.17 EUR
100+	5.62 EUR
250+	5.07 EUR
500+	4.55 EUR
1000+	3.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4012-C1001GTR

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4012-C1001GTR

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

auf Bestellung 7848 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.31 EUR
10+	6.55 EUR
100+	5.36 EUR
250+	5.1 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	3.85 EUR
2500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R

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SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4018

ALUTRONIC

SI4018 Heatsinks - equipment

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SI4018-S

ALUTRONIC

SI4018-S Heatsinks - equipment

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SI4020

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4020-I1-FT

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke

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SI4020-I1-FT

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4020-I1-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SI4020-I1-FTR

Description: IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

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SI4021

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4021-A1-FT

RF Transmitter TX SubG

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SI4021-A1-FT

SI4021-A1-FT SI4021
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI4021-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4021-A1-FTR

TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4021-A1-FTR

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4021-A1-FTR

RF Transmitter TX SubG

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SI4021A1FTR

auf Bestellung 2430 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4022-A0-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

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SI4022-A0-FT

SI4022-A0-FT SI4022
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4022-A0-FTR

RF Transmitter TX SubG

Produkt ist nicht verfügbar

SI4022-A0-FTR

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4022-A0-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4022-A1-FT

RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4022-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

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SI4022-A1-FT

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4023-S

ALUTRONIC

SI4023-S Heatsinks - equipment

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SI4030-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4030-A0-FMR

Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4030-A0-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

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SI4030-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4030-B1-FM

TX SubG +13dBm

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SI4030-B1-FM

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

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SI4030-B1-FM

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

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SI4030-B1-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

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SI4030-B1-FMR

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

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SI4030-B1-FMR

QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4030-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4031-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4031-B1-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FM

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FMR

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4031-B1-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FM

Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

auf Bestellung 3510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FMR

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-V2-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-V2-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-V2-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4032-V2-FMR

Produkt ist nicht verfügbar

SI4033-B2-FM

SI4033-B2-FM

Produkt ist nicht verfügbar

SI4033-B2-FMR

SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4033-B2-FMR

SI4033-B2-FMR

Produkt ist nicht verfügbar

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

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SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

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SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

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SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

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SI4038DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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SI4038DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4154DY-GE3

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SI4038DY-T1-GE3

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SI4048DY-T1-E3

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

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SI4048DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2875 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

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SI4048DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4055-B1A-FM

Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver

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SI4055-B1A-FM

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4055-B1A-FMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

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SI4055-B1A-ZMR

SI4055-B1A-ZMR SI4055
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4055-C2A-AM

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

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SI4055-C2A-AMR

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

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SI4055-C2A-GM

RF Transceiver Sub-GHz Transmitter

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.22 EUR
10+	7.25 EUR
100+	6.89 EUR
250+	6.4 EUR
500+	5.59 EUR
1000+	5.56 EUR
2450+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4055-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4055-C2A-GMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

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SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

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SI4056ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8

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SI4056ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 8813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFET 100V N-CH D-S MOSFET

auf Bestellung 136108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR
5000+	0.87 EUR
10000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 1153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.76 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4056ADY-T1-GE3

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SI4056ADY-T1-GE3

auf Bestellung 8813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

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SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

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SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
137+	1.1 EUR
140+	1.04 EUR
184+	0.76 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 117

SI4056DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4056DY-T1-GE3

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SI4056DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SI4058DY-T1-GE3

auf Bestellung 28033 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	1.02 EUR
5000+	1 EUR
10000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

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Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA

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SI4058DY-T1-GE3
Produktcode: 182910

Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Si4058DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 633 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

Si4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id

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SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4060-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4060QFN
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

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SI4060-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

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SI4060-B0B-FMR

SI4060-B0B-FMR

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SI4060-B0B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

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SI4060-B1B-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4060-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

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SI4060-B1B-FM

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4060-B1B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2416 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.62 EUR
10+	12.18 EUR
25+	10.97 EUR
80+	9.99 EUR
230+	9.02 EUR
490+	8.09 EUR
980+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4060-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 237500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 7504 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4060-B1B-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

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SI4060-B1B-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

Produkt ist nicht verfügbar

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4060-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

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SI4060-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

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SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 62

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4060-C2A-GM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.97 EUR
10+	10.06 EUR
100+	9.07 EUR
250+	8.14 EUR
500+	6.89 EUR
1000+	6.86 EUR
2450+	6.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4060-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

auf Bestellung 1611 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4060-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2362 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.62 EUR
10+	12.18 EUR
25+	10.97 EUR
80+	9.99 EUR
230+	9.02 EUR
490+	8.09 EUR
980+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 6807 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.52 EUR
10+	10.45 EUR
100+	8.76 EUR
250+	8.35 EUR
500+	7.62 EUR
1000+	7.05 EUR
2500+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4060-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

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SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4062DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 32.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead

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SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4062DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Type of transistor: N-MOSFET

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SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

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SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4062DY-T1-GE3

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SI4062DY-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 626-640 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.77 EUR
2500+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

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SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4063-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI4063-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4063
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

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SI4063-B0B-FMR

SI4063-B0B-FMR

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SI4063-B0B-FMR

QFN 20/I°/TX SI4063
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4063-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4063-B1B-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.21 EUR
10+	10.01 EUR
25+	9.02 EUR
100+	8.22 EUR
250+	7.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4063-B1B-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

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SI4063-B1B-FM

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SI4063-B1B-FM
Produktcode: 170485

Modulare Elemente > IC Radiomodule

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SI4063-B1B-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

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SI4063-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	7.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI4063-B1B-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 7347 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.67 EUR
10+	9.41 EUR
100+	8.55 EUR
250+	7.75 EUR
500+	7.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 14900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.48 EUR
10+	14.73 EUR
25+	13.26 EUR
100+	12.08 EUR
250+	10.9 EUR
500+	9.78 EUR
1000+	8.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

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SI4063-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

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SI4063-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

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SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

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SI4063-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.68 EUR
10+	15.8 EUR
25+	14.22 EUR
80+	12.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.95 EUR
10+	14.14 EUR
100+	11 EUR
250+	9.85 EUR
500+	8.32 EUR
1000+	8.19 EUR
2450+	7.98 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4063-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.85 EUR
10+	12.38 EUR
100+	7.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.55 EUR
17+	9.02 EUR
25+	7.81 EUR
100+	6.75 EUR
250+	5.82 EUR
500+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.55 EUR
17+	9.02 EUR
25+	7.81 EUR
100+	6.75 EUR
250+	5.82 EUR
500+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

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SI407DNPLCC

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.82 EUR
10+	3.4 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 649 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.15 EUR
86+	1.77 EUR
92+	1.59 EUR
118+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 73

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 11899 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI40SL0116-70T

auf Bestellung 212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI40SL0416-75T

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI41

IDEC

Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44

Produkt ist nicht verfügbar

SI410

01+ SOP

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4100DY-T1

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4100DY-T1-E3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 16317 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 30752 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.04 EUR
11+	2.49 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.26 EUR
5000+	1.2 EUR
12500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4100DY-T1-E3

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.67 EUR
94+	1.56 EUR
114+	1.23 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 90

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

auf Bestellung 3324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 7295 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.04 EUR
11+	2.49 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.04 EUR
90+	1.61 EUR
94+	1.5 EUR
114+	1.18 EUR
250+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 77

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 7802 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.22 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.26 EUR
5000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4100DYT1E3

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4101

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.79 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.39 EUR
127+	1.19 EUR
130+	1.12 EUR
131+	1.07 EUR
170+	0.79 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 113

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 13748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 97050 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.96 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 13748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

auf Bestellung 12305 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.79 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.23 EUR
129+	1.13 EUR
170+	0.82 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 127

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4102DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4102DY-T1-E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

auf Bestellung 2619 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 3318 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

auf Bestellung 2619 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4102DYT1E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

auf Bestellung 4010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4103DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.55 EUR
299+	0.5 EUR
301+	0.48 EUR
305+	0.46 EUR
338+	0.4 EUR
344+	0.37 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 284

SI4103DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 118920 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.79 EUR
35+	1.52 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.77 EUR
2500+	0.74 EUR
10000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4103DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 9838 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4104DY-T1-E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4104DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4104DYT1E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4108DY-T1-E3

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4108DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4108DYT1E3

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI410A

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4110-KT

09+

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4110DY-T1-E3

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4110DY-T1-E3

PN may be NE

Produkt ist nicht verfügbar

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4110DY-T1-GE3

auf Bestellung 124200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4110DYT1E3

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4110KT

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4112-BM

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4112-BM

Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-BT
Produktcode: 47301

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-BT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-BT

SILICONIX

0544

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4112-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.26 EUR
10+	15.83 EUR
25+	14.39 EUR
80+	12.95 EUR
230+	11.87 EUR
490+	10.79 EUR
980+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4112-D-GM

MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

auf Bestellung 1389 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.94 EUR
10+	13.03 EUR
25+	11.05 EUR
100+	10.58 EUR
250+	10.06 EUR
490+	9.02 EUR
2940+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GMR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 6718 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.94 EUR
10+	14.62 EUR
25+	13.29 EUR
100+	11.96 EUR
250+	10.96 EUR
500+	9.97 EUR
1000+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	8.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4112-D-GMR

MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4112-D-GT

SI4112
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4112-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

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SI4112-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

auf Bestellung 7440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.12 EUR
10+	14.77 EUR
25+	13.43 EUR
100+	12.08 EUR
250+	11.08 EUR
500+	10.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4112-D-GTR

TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4112-D-GTR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

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SI4112-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

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SI4112-D-GTR

RF Synthesizer with IF OUs

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SI4112-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

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SI4112-EVB

TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4112-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP

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SI4112BT

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4112G-BM

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4112M-EVB

MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4112M-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP

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SI4112M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

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SI4113-BMR

auf Bestellung 7280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4113-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

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SI4113-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	23.66 EUR
10+	21.37 EUR
25+	20.38 EUR
100+	17.71 EUR
250+	16.9 EUR
490+	14.9 EUR
980+	14.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray

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SI4113-D-GM

QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

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SI4113-D-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4113-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4113-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

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SI4113-D-GMR

RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

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SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4113-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

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SI4113-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	23.66 EUR
10+	21.37 EUR
25+	20.38 EUR
100+	18.64 EUR
248+	18.2 EUR
558+	17.39 EUR
1054+	15.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

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SI4113-D-GT

SLLSI4113-D-GT SI4113
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

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SI4113-D-GTR

IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

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SI4113-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4113-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

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SI4113-D-GTR

Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

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SI4113-D-ZT1

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

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SI4113-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP

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SI4113-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

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SI4113-EVB

TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4113G-BT

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4113GM

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4113M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4113M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

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SI4113M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4113ZT1

N/A

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

auf Bestellung 1680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.42 EUR
10+	3.98 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4114DY-T1-E3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

auf Bestellung 4620 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors

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SI4114DY-T1-GE3

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SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.84 EUR
188+	0.77 EUR
190+	0.74 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 186

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4114DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

auf Bestellung 12468 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4 EUR
15+	3.59 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	1.96 EUR
2500+	1.83 EUR
5000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4114DY-T1-GE3

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SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4114DYT1E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4114G-B-GM

Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4114G-BM

Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

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SI4114G-BMR

03+ CLCC

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4114GM-EVB

Description: BOARD EVAL SI4114G-BM

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SI4115G-BM

Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

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SI4115G-BMR

auf Bestellung 67790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	0.89 EUR
184+	0.79 EUR
200+	0.7 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 177

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-E3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

auf Bestellung 3411 Stücke:

Lieferzeit 707-721 Tag (e)

16+	3.38 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SI4116DY-T1-E3

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4116DY-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

auf Bestellung 7146 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.91 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.32 EUR
2500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.53 EUR
118+	1.28 EUR
121+	1.21 EUR
158+	0.89 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 103

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.89 EUR
12+	2.36 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4116DYT1E3

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4120

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4120-KT

09+

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4120KT

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122-BT

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-BTR

auf Bestellung 1370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	25.79 EUR
10+	23.3 EUR
25+	18.41 EUR
100+	16.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4122-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GM

RF synthesizer with RF2/IF OUT

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GM

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GMR

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GMR

RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4122-D-GT

RF synthesizer with RF2/IF OUT

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122BT

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122DY-T1-E3

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DY-T1-GE3

10+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8

auf Bestellung 9522 Stücke:

Lieferzeit 312-326 Tag (e)

10+	5.72 EUR
11+	4.76 EUR
100+	3.8 EUR
250+	3.51 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	2.73 EUR
2500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4122DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 27.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DY-T1-GE3
Produktcode: 188744

Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122DYT1E3

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122G-BMR

2000

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4122M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4122M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4123-BM

Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

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SI4123-BT

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4123-D-GM

RF synthesizer with RF1/IF OUT

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SI4123-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	25.09 EUR
10+	22.67 EUR
25+	21.61 EUR
100+	18.77 EUR
250+	17.91 EUR
490+	16.33 EUR
980+	14.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.66 EUR
10+	23.51 EUR
25+	21.38 EUR
80+	19.24 EUR
230+	17.63 EUR
490+	16.03 EUR
980+	14.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4123-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

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SI4123-D-GMR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

auf Bestellung 1133 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.5 EUR
13+	12.06 EUR
25+	11.08 EUR
100+	10.23 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SI4123-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

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SI4123-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	23.95 EUR
10+	21.94 EUR
25+	19.94 EUR
100+	17.95 EUR
250+	16.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

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SI4123-D-GTR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123BM

QFN

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4123BM

auf Bestellung 2090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4123M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4123M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

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SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4124DY-T1-E3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-E3

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4124DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 377-391 Tag (e)

10+	5.64 EUR
11+	5.1 EUR
25+	5.04 EUR
100+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

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SI4124DYT1E3

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126

O246+ QFN

auf Bestellung 1345 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126-BM

Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

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SI4126-BM

auf Bestellung 1474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126-BMR

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126-BMR

03+

auf Bestellung 4105 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126-BMR

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126-F-BM

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

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SI4126-F-BMR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GM

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GMR

RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-F-GMR

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126-GM

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126BM

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126BM

N/A

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126DY-T1

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126DY-T1-E3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4126DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 4652 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.75 EUR
11+	4.78 EUR
100+	3.82 EUR
250+	3.61 EUR
500+	3.2 EUR
1000+	2.76 EUR
2500+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

auf Bestellung 3862 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.72 EUR
10+	4.75 EUR
100+	3.78 EUR
500+	3.2 EUR
1000+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SI4126DY-T1-GE3

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.44 EUR
53+	2.86 EUR
54+	2.71 EUR
100+	2.06 EUR
250+	1.93 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 46

SI4126M-EVB

MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4126M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128DY

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4128DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 9616 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.25 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI4128DY-T1-E3

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4128DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 3326 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4128DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 3971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4128DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4128DY-T1-GE3

auf Bestellung 4058 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128DY-T1-GE3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4128DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4128DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 37083 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SI4128DY-TI-GE3

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132-BT

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132-KT

09+

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132-KT

auf Bestellung 714 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132-SB

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132BT

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132KT

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4132SB

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133-BMR

SILICONI

00+ CLCC

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133-BT

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133-BT

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-BT/GT

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 3884 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.82 EUR
10+	23.36 EUR
25+	21.51 EUR
80+	19.67 EUR
230+	18.44 EUR
490+	17.21 EUR
980+	16.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4133-D-GM

MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI4133-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

auf Bestellung 2929 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	22.96 EUR
10+	21.32 EUR
25+	19.29 EUR
100+	18.56 EUR
250+	17.34 EUR
490+	16.46 EUR
980+	16.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI4133-D-GM

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	15.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4133-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GMR

RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GMR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 4318 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.82 EUR
10+	23.36 EUR
25+	21.51 EUR
100+	19.67 EUR
250+	18.44 EUR
500+	17.21 EUR
1000+	16.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

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SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1127 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.82 EUR
10+	23.36 EUR
62+	21.51 EUR
124+	19.67 EUR
310+	18.44 EUR
558+	17.21 EUR
1054+	16.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

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SI4133-D-GT

TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

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SI4133-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	26.39 EUR
10+	24.26 EUR
25+	23.27 EUR
100+	20.49 EUR
248+	19.47 EUR
558+	18.23 EUR
1054+	17.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI4133-D-GTR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

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SI4133-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GTR

Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-EVB

Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133-EVB

SLLSI4133-EVB SI4133
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4133-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4133-GM

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133B-BM

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Si4133BM

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133F-BMR

03+

auf Bestellung 2937 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-BM

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-BT

SILCON

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-BTR

SILI

auf Bestellung 1540 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-BTR

0050

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-XM2

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-XM2R

2003

auf Bestellung 1385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133G-XMZ

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GBM

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GBMR

SLAB

0011

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GBMR

SLAB

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GBT

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GM

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133GM-EVB

Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133GX2-BM

Description: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133GX2M-EVB

Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

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SI4133GXM2

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4133M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

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SI4133M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

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SI4133T-BM

04+ CLCC

auf Bestellung 2388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-BM

QFN??

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-BM

09+

auf Bestellung 350018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-BM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

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SI4133T-BMR

2004

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-BMR

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-GM

auf Bestellung 53500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133T-GM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4133T-MB

2004

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133TBM

03+

auf Bestellung 2066 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133W-BM

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133W-BMR

2002

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133W-D-GM

0602

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4133WM-EVB

Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

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SI4134DY

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134DY-T1

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 4212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4134DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 67067 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.5 EUR
39+	1.33 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SI4134DY-T1-E3

1027+ SOP8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4134DY-T1-GE3

Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 50

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

auf Bestellung 65560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4134DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 14421 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
34+	1.56 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 3474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SI4134DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 7442 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
164+	0.44 EUR
183+	0.39 EUR
251+	0.29 EUR
266+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 69

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134DY-T1-GE3

auf Bestellung 65560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4134DY-T1-GE3

auf Bestellung 7442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
164+	0.44 EUR
183+	0.39 EUR
251+	0.29 EUR
266+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 69

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4134T-BM

QFN32

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134T-BM

09+

auf Bestellung 318 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134T-BM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134T-BMR

QFN??

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134T-BMR

QFN

auf Bestellung 1776 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134T-GM

09+

auf Bestellung 9018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4134T-GM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4134T-GMR

04+

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4136-BM

Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-BM

09+

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4136-BT

Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-Bt

Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-Bt

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4136-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-EVB

TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-EVB

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4136-F-BM

Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-BT

Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	28.81 EUR

SI4136-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4136-F-GMR

Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GT

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
Anzahl je Verpackung: 62 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI4136-F-GT

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

auf Bestellung 11 Stücke:

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1+	31.02 EUR
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SI4136-F-GT

RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

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SI4136-F-GTR

RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

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SI4136-F-GTR

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4136-F-GTR

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

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SI4136-GM

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SI4136-XM-GT

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SI4136BM

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SI4136BT

09+ TSSOP24

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SI4136DY

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SI4136DY-T1-E3

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SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

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SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4136DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

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17+	3.17 EUR
20+	2.7 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SI4136DY-T1-GE3

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SI4136M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

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SI4136M-EVB

MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI4136M-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

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SI4136XM-BT

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SI4136XM-BT

SILCON

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SI4136XM-BT

09+ TSSOP24

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SI4136XM-BTR

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SI4136XM-GT

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SI4137-BM

09+

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SI4137BM

auf Bestellung 118 Stücke:

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SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4143DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

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29+	1.81 EUR
34+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

auf Bestellung 23962 Stücke:

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13+	2.03 EUR
15+	1.79 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm

auf Bestellung 14517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.79 EUR
5000+	0.73 EUR
12500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 13260 Stücke:

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SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SI4148DY-T1

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SI415

01+ SOP

auf Bestellung 1078 Stücke:

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SI415

auf Bestellung 500 Stücke:

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SI4151DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised

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SI4151DY-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Gate charge: 87nC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

auf Bestellung 4129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.86 EUR
12+	2.35 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A T/R

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SI4151DY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET

auf Bestellung 15455 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.89 EUR
23+	2.36 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.77 EUR
2500+	1.5 EUR
5000+	1.47 EUR
10000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4151DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4151DY-T1-GE3

Micro Commercial Components (MCC)

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4153-TP

MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW

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SI4153-TP

Micro Commercial Components

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R

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SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

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SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5788 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SI4153DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 15648 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.67 EUR
36+	1.46 EUR
100+	1 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.62 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 32

SI4153DY-T1-GE3

SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

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SI4154DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 16465 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4154DY-T1-GE3

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SI4154DY-T1-GE3
Produktcode: 184243

Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

auf Bestellung 3727 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.31 EUR
13+	2.03 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 4.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4156DY-T1-E3

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4156DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 64632 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.18 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.87 EUR
5000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI4156DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3045 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4156DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI4156DY-T1-GE3

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SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 2987 Stücke:

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13+	2.13 EUR
15+	1.74 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4156DY-T1-GE3

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SI4158DY-T1-E3

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SI4158DY-T1-GE3

MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V

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SI4158DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

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SI4160DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

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SI4160DY-T1-EG3

auf Bestellung 110 Stücke:

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SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

auf Bestellung 1860 Stücke:

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8+	3.51 EUR
10+	3.14 EUR
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500+	2.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 8

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 14229 Stücke:

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16+	3.3 EUR
18+	2.96 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

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SI4160DY-T1-GE3

auf Bestellung 1640 Stücke:

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SI4160DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4160DY-TI-GE3

auf Bestellung 400 Stücke:

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SI4162DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

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SI4162DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	0.57 EUR
139+	0.52 EUR
178+	0.4 EUR
188+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 125

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

auf Bestellung 27938 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.89 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm

auf Bestellung 67452 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

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2500+	0.51 EUR
5000+	0.45 EUR
10000+	0.4 EUR
15000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.83 EUR
5000+	0.79 EUR
12500+	0.73 EUR
25000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4162DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 20398 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
28+	1.91 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.94 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI4162DY-T1-GE3

auf Bestellung 1861 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

125+	0.57 EUR
139+	0.52 EUR
178+	0.4 EUR
188+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 125

SI4162DY-T1-GE3

auf Bestellung 67452 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4164DY-T1

auf Bestellung 75000 Stücke:

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SI4164DY-T1-E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4164DY-T1-GE3
Produktcode: 186845

Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4164DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 33627 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.77 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.41 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.67 EUR
2500+	1.59 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

auf Bestellung 33442 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4164DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

auf Bestellung 2263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4164DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®

Produkt ist nicht verfügbar

SI4164DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.56 EUR
5000+	1.48 EUR
12500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4164DYT1E3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4166DY

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4166DY-T1

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4166DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4166DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4166DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SI4166DY-T1-GE3

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SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.85 EUR
187+	0.81 EUR
189+	0.77 EUR
196+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 185

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

auf Bestellung 437 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.46 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SI4166DY-T1-GE3

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	0.88 EUR
185+	0.82 EUR
187+	0.78 EUR
189+	0.74 EUR
196+	0.68 EUR
250+	0.65 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 178

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4166DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 3789 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
21+	2.49 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.33 EUR
10000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI4168DY

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4168DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4168DY-T1-GE3

auf Bestellung 652 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4168DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

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SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

auf Bestellung 4500 Stücke:

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9+	3.07 EUR
10+	2.74 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SI417

01+ SOP

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SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

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SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

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SI4170DYT1E3

auf Bestellung 40000 Stücke:

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SI4172DT-T1-GE3

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SI4172DY

auf Bestellung 300 Stücke:

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SI4172DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

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SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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SI4172DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

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SI4172DY-T1-GE3

auf Bestellung 798200 Stücke:

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SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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SI4172DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2404 Stücke:

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317+	0.49 EUR
322+	0.47 EUR
327+	0.44 EUR
332+	0.42 EUR
338+	0.4 EUR
343+	0.37 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 317

SI4174DY-T1-E3

auf Bestellung 200 Stücke:

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SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2581 Stücke:

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124+	1.27 EUR
148+	1.02 EUR
153+	0.95 EUR
208+	0.67 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 124

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.79 EUR
5000+	0.75 EUR
12500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4174DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2102 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

56+	1.29 EUR
97+	0.74 EUR
111+	0.64 EUR
135+	0.53 EUR
143+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 56

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4174DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 26045 Stücke:

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25+	2.1 EUR
29+	1.83 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.78 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SI4174DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm

auf Bestellung 6065 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4174DY-T1-GE3

auf Bestellung 2102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	1.29 EUR
97+	0.74 EUR
111+	0.64 EUR
135+	0.53 EUR
143+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 56

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

auf Bestellung 15645 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SI4176DY

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4176DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

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SI4176DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4176DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

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SI4176DY-T1-GE3

auf Bestellung 798200 Stücke:

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SI4178DY

auf Bestellung 3310 Stücke:

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SI4178DY-T1-E3

MOSFET

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SI4178DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4178DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

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SI4178DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2496 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
172+	0.42 EUR
191+	0.37 EUR
220+	0.33 EUR
233+	0.31 EUR
500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 3787 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4178DY-T1-GE3

auf Bestellung 2496 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
172+	0.42 EUR
191+	0.37 EUR
220+	0.33 EUR
233+	0.31 EUR
500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4178DY-T1-GE3

Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

auf Bestellung 3569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI4178DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8

auf Bestellung 8160 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

37+	1.43 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 37

SI4178DY-T1-GE3

auf Bestellung 3787 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4186DY

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4186DY-T1-E3

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4186DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

auf Bestellung 5692 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.81 EUR
12+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI4186DY-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.16 EUR
5000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 23831 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.28 EUR
18+	2.94 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SI4186DY-T1-GE3

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI419

01+ SOP

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI419

SOP-8

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 13854 Stücke:

Lieferzeit 795-809 Tag (e)

12+	4.42 EUR
14+	3.98 EUR
100+	3.2 EUR
250+	3.12 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

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SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4190ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

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SI4190ADY-T1-GE3

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SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.57 EUR
71+	2.14 EUR
75+	1.94 EUR
100+	1.54 EUR
250+	1.43 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 61

Si4190BDY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

auf Bestellung 4543 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.02 EUR
13+	4.19 EUR
100+	3.33 EUR
250+	3.09 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.54 EUR
2500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SI4190DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4190DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

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SI4196DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

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SI4196DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

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SI4200

SILICONE

QFN??

auf Bestellung 19 Stücke:

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SI4200-BM

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200-BM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

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SI4200-BM

09+

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200-BMR

03+

auf Bestellung 1835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200-BMR

QFN

auf Bestellung 700 Stücke:

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SI4200-BMR

2 QFN

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200-EVB

Description: BOARD EVAL FOR SI4200
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4200
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
Type: GPRS/GSM
Supplied Contents: Board(s)

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SI4200-GM

QFN??

auf Bestellung 2922 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200-GM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

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SI4200-GMR

04+

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI42000BW

auf Bestellung 18000 Stücke:

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SI4200BM

auf Bestellung 118 Stücke:

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SI4200BM

SIL

QFN

auf Bestellung 1270 Stücke:

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SI4200BM

N/A

0346

auf Bestellung 1009 Stücke:

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SI4200DB-BM

09+

auf Bestellung 5718 Stücke:

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SI4200DB-BMR

auf Bestellung 1573 Stücke:

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SI4200DB-BMR

0340+

auf Bestellung 1452 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200DB-BMR

0347

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200DB-BRM

SAGEM

04+

auf Bestellung 3298 Stücke:

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SI4200DB-GMR

06+

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200DY-T1-E3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SI4200DY-T1-GE3

MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SI4201-BM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

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SI4201-BM

09+

auf Bestellung 440018 Stücke:

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SI4201-BMR

03+

auf Bestellung 2596 Stücke:

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SI4201-BMR

2 QFN

auf Bestellung 500 Stücke:

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SI4201-BMR

QFN??

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SI4201-BMR

QFN

auf Bestellung 700 Stücke:

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SI4201-GM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

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SI4201-GMR

SIICON

2004PB

auf Bestellung 5000 Stücke:

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si4201bm

auf Bestellung 60 Stücke:

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Si4202DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

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SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

auf Bestellung 4750 Stücke:

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7+	3.82 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SI4202DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.7
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

auf Bestellung 1003 Stücke:

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SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI4202DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 7807 Stücke:

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16+	3.38 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.36 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SI4204

auf Bestellung 371 Stücke:

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Si4204DY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI4204DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 12312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2367 Stücke:

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60+	2.61 EUR
70+	2.17 EUR
72+	2.04 EUR
100+	1.57 EUR
250+	1.49 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 60

SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4204DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 34370 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
13+	4.16 EUR
100+	3.35 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.27 EUR
2500+	2.18 EUR
5000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SI4204DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 27506 Stücke:

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6+	4.37 EUR
10+	3.62 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI4204DY-T1-GE3