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SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4124dy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
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76+1.95 EUR
90+1.51 EUR
103+1.27 EUR
250+1.21 EUR
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SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4124dy-1764950.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4124dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
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SI4124DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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