SI4151DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.83 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4151DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4151DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET |
auf Bestellung 15455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |