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SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3 Vishay

si4162dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4162DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay si4162dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay si4162dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
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30000+0.5 EUR
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY SI4162DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.63 EUR
66+1.3 EUR
76+1.13 EUR
107+0.8 EUR
123+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4162dy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2+1.77 EUR
10+1.54 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4162dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 69542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 69542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
30000+0.5 EUR
45000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+1.63 EUR
66+1.3 EUR
76+1.13 EUR
107+0.8 EUR
123+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 9156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.77 EUR
10+1.54 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
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SI4162DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
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1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4162DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 69542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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93+2.7 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4162DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 69542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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