SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.53 EUR |
| 17+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
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Technische Details SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI4103DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI4103DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 109400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 6848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 6848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4103DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 109400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.11 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| SI4103DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4103DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6848 Stücke:
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