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SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4101dy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
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Technische Details SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4101DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.80 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4101dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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206+0.71 EUR
213+0.66 EUR
255+0.53 EUR
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4101dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 349 Stücke:
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206+0.69 EUR
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324+0.39 EUR
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4101dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4101dy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4101dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
auf Bestellung 5483 Stücke:
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4101dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4101dy.pdf SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4101dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
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