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Technische Details SI4174DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4174DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.94 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 23147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4174DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |