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Technische Details SI4202DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4202DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.13 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 5111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 4846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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