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SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3 Vishay


si4202dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4202DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4202dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4202dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
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Anzahl Preis
1+2.90 EUR
10+1.97 EUR
100+1.35 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.93 EUR
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.13 EUR
10+2.00 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2290 Stücke:
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SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SI4202DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4202dy.pdf SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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