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SI4154DY-T1-GE3

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Produktcode: 184243
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay si4154dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay si4154dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay si4154dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.27 EUR
139+1.25 EUR
156+1.09 EUR
250+1.07 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay si4154dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.45 EUR
138+1.23 EUR
139+1.18 EUR
156+1.01 EUR
250+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay si4154dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
132+1.77 EUR
141+1.52 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 11334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+1.95 EUR
100+1.56 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4154dy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 22941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.73 EUR
100+1.32 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.12 EUR
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SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0009181880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
123+1.89 EUR
157+1.37 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 10000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 359 Stücke:
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.14 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
138+1.27 EUR
139+1.25 EUR
156+1.09 EUR
250+1.07 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.45 EUR
138+1.23 EUR
139+1.18 EUR
156+1.01 EUR
250+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.09 EUR
132+1.77 EUR
141+1.52 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 11334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.48 EUR
11+1.95 EUR
100+1.56 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 22941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+1.73 EUR
100+1.32 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 VISH-S-A0009181880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4154DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.52 EUR
123+1.89 EUR
157+1.37 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 10000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 359 Stücke:
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