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SI4154DY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4154DY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 18407776-5
Price: 2125 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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Technische Details SI4154DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4154DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.08 EUR

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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138+	1.06 EUR
139+	1.02 EUR
156+	0.87 EUR
250+	0.84 EUR
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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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122+	1.20 EUR
138+	1.02 EUR
139+	0.98 EUR
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1000+	0.63 EUR

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8

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10+	1.60 EUR
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250+	1.30 EUR
500+	1.15 EUR
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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

auf Bestellung 11334 Stücke:

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Anzahl	Preis
9+	2.08 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.07 EUR

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SI4154DY-T1-GE3
Produktcode: 184243

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SI4154DY-T1-GE3

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SI4154DY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

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