SI4056ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.52 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| 7500+ | 0.45 EUR |
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Technische Details SI4056ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4056ADY-T1-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.66 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
auf Bestellung 19637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 129433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| SI4056ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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