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SI4058DY-T1-GE3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4058dy.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4921 Stücke:
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140+1.78 EUR
210+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.67 EUR
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4058dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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19+1.15 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4058DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4058DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4058DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Si4058DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
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470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 112281
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X7R_X5R.pdf
470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1873 St.
  • 1873 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.043 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Produktcode: 104934
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rl_20190531-hitano.pdf
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 0,33 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 Вт
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.09 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39056
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RC0603HIT.pdf
36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 36,5 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 7830 St.
  • 7830 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 9616
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rc_series_20150401_1.pdf
4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 4,3 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5540 St.
  • 5540 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4181
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RC_series.pdf
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 12 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 6263 St.
  • 6263 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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