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SI4058DY-T1-GE3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4058dy.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
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Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4058dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4058dy.pdf MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4058dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
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470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамический SMD)
Produktcode: 112281
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X7R_X5R.pdf
470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамический SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 5311 St.:
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0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Produktcode: 104934
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rl_20190531-hitano.pdf
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,33 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
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erwartet 4000 St.:
4000 St. - erwartet 10.08.2026
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36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39056
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RC0603HIT.pdf
36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 36,5 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 7830 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 9616
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rc_series_20150401_1.pdf
4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 4,3 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 6940 St.
1200 St. - stock Köln
5740 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4181
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RC_series.pdf
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 12 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 6354 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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