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SI4122DY-T1-GE3

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Produktcode: 188744
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.93 EUR
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
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84+2.11 EUR
100+1.99 EUR
250+1.87 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.78 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4122dy.pdf MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 3307 Stücke:
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1+5.3 EUR
10+3.72 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
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SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 9853 Stücke:
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36+7.09 EUR
55+4.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf 10+
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SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3838 Stücke:
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10235 Stücke:
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
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5+5.13 EUR
10+3.78 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 3307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.3 EUR
10+3.72 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
2500+1.87 EUR
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SI4122DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4122DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 9853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.09 EUR
55+4.27 EUR
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Hersteller: Vishay
10+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH