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Technische Details SI4122DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4122DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.31 EUR
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 3749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 10707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
10+ |
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SI4122DY-T1-GE3 Produktcode: 188744
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4122DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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