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SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3 Vishay


si4134dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4134DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4134dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
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10+1.04 EUR
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1000+0.53 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
auf Bestellung 3959 Stücke:
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11+1.72 EUR
16+1.14 EUR
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500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si4134dy.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
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