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SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3 Vishay

si4134dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4134DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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138+1.25 EUR
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500+0.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1952 Stücke:
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57+1.51 EUR
83+1.04 EUR
112+0.76 EUR
128+0.67 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4134dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2+2.26 EUR
10+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
auf Bestellung 2440 Stücke:
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10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 9905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
151+1.55 EUR
223+0.96 EUR
500+0.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 9905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
151+1.55 EUR
223+0.96 EUR
500+0.75 EUR
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 Siliconix si4134dy.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3790 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
180+0.96 EUR
209+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
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SI4134DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+0.96 EUR
209+0.8 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
138+1.25 EUR
158+1.07 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+1.51 EUR
83+1.04 EUR
112+0.76 EUR
128+0.67 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 7361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 9905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
151+1.55 EUR
223+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4134DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 9905 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
151+1.55 EUR
223+0.96 EUR
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SI4134DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
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Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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