SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.6 EUR |
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Technische Details SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4156DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 56734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-GE3 |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SI4156DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |