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Technische Details SI4186DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Weitere Produktangebote SI4186DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI4186DY-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4186DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 |
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SI4186DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4186DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
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| SI4186DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.26 EUR |
| SI4186DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 2500+ | 0.93 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| SI4186DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 61+ | 4.12 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 144+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |