SI4421DY-T1-E3
SI4421DY-T1-E3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
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Technische Details SI4421DY-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V.
Preis SI4421DY-T1-E3 ab 2.92 EUR bis 6.73 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 20 Volt 14 Amp
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4421DYT1E3 Hersteller: |
30000 Stücke |
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SI4421DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY
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30000 Stücke |
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SI4421DY-T1-E3 Hersteller:
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1342 Stücke |
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SI4421DYT1E3 Hersteller: VISHAY |
30000 Stücke |
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SI4421DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4421DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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