SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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Technische Details SI4421DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta).

Preis SI4421DY-T1-GE3 ab 3.45 EUR bis 6.79 EUR

SI4421DY-T1-GE3
SI4421DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0003167810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI4421DY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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