SI4421DY-T1-GE3
SI4421DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2500 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 2500 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Technische Details SI4421DY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta).
Preis SI4421DY-T1-GE3 ab 3.45 EUR bis 6.79 EUR
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 10 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 800 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4421DY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
|
auf Bestellung 17402 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
|
auf Bestellung 975 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|