SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

Hersteller: SILI
P-MOSFET 8.8A 30V 1.5W 0.012? Trans. SI4425BDY SOP08 TSI4425bdy
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Technische Details SI4425BDY-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI4425, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V.

Preis SI4425BDY-T1-E3 ab 1.97 EUR bis 4.03 EUR

SI4425BDY-T1-E3
SI4425BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 11A 2.5W
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SI4425BDYT1E3
Hersteller:

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SI4425BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4425BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI4425BDYT1E3
Hersteller: VISHAY

9000 Stücke
SI4425BDY-T1-E3
SI4425BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4425BDY-T1-E3
Hersteller:
SI4425BDY MOSFET P-CH 30V 8.8A SOIC8
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4425BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4425BDY-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI4425
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
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SI4425BDY-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI4425
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
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SI4425BDY-T1-E3
SI4425BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Base Part Number: SI4425
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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