Technische Details SI4426DYT1E3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 8.5A, On-state resistance: 35mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 50nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: SO8, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4426DYT1E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
 07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+ SOP-8 |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |