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SI4426DYT1E3 VISHAY


Hersteller: VISHAY

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Technische Details SI4426DYT1E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 8.5A, On-state resistance: 35mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 50nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: SO8, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4426DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4426dy.pdf 07+ SO-8
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SI4426DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4426dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4426DY-T1-E3 SI4426DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4426dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
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SI4426DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4426dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 50nC
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